叠层的精度、栅极环绕的控制，极其不稳定，这是良率波动的主要来源之一。” “第二，高介电常数金属栅极（hkmg） 的堆叠精度和均匀性。 新材料的热预算和界面态极其敏感，均匀性偏差导致阈值电压（vt）漂移严重。” “第三，也是最致命的，”他的语气几乎带着一丝绝望。 “极紫外（euv）光刻技术的应用调试。 euv光源的功率、稳定性，以及配套的光刻胶、掩膜版技术，全部受到最严格的限制，获取极其困难，调试进度几乎停滞。 没有稳定可靠的euv光刻，很多关键的精细结构无法实现，良率和性能都无从谈起。” 他指着图表上那个刺眼的数字： “目前mpw试产的综合良率......仍然在25%...